Grafenbaserat flashminne snabbare än DRAM

Forskare vid Fudan-universitetet i Shanghai har utvecklat en potentiellt banbrytande typ av flashminne, rapporterar Tom's Hardware. Flashminneskretsar och andra icke-flyktiga minnestyper är normalt många gånger lång­sammare än flyktiga minnestyper som DRAM

Sammanhang: ...Forskare vid Fudan-universitetet i Shanghai har utvecklat en potentiellt banbrytande typ av flashminne, rapporterar Tom's Hardware. Flashminneskretsar och andra icke-flyktiga minnestyper är normalt många gånger lång­sammare än flyktiga minnestyper som DRAM och SRAM, men genom att överge kisel och istället använda kol lyckades forskarna ta fram kretsar som skriver data ännu snabbare. ...

Omnämnda platser: Shanghai.

Lagra allt du äger på bara en skiva

Forskare vid universitetet i Shanghai har tagit fram en optisk skiva som ska kunna lagra 1,6 petabit i minne. Lagringsutrymmet möjliggörs av att skivan har 100 lager på båda sidor. Den nya lagringsmetoden är främst riktad mot andra företag med förhoppningen

Sammanhang: ...Forskare vid universitetet i Shanghai har tagit fram en optisk skiva som ska kunna lagra 1,6 petabit i minne. Lagringsutrymmet möjliggörs av att skivan har 100 lager på båda sidor. ...

Omnämnda platser: Shanghai.